摘要：针对980nm激光波长设计了InGaAs／GaAsP材料多周期增益量子阱结构。垒层采用带隙更宽的GaAsP材料代替常规GaAs，改善了效率随温度升高而降低的问题，同时又能满足长寿命激光工作的需要。周期增益量子阱结构提高了有源区的单程增益，降低了阈值，提高了输出功率。制作出新结构的集成单元数为4×4，单元直径30μm的阵列器件，工作电流为5．88A时连续激光功率达到2W；窄脉冲宽度1μs，重复频率100Hz，工作电流60A时输出功率达N30W，且均未达到饱和状态。此阵列器件在工作电流为1～4A时发散角半宽均小于16°。利用加速老化方法对阵列器件的寿命进行了测试，推算出30℃的寿命可达5280h以上，并分析了影响大功率垂直腔面发射激光器（VCSEL）可靠性的主要因素。

关键词：激光器 垂直腔面发射激光器 阵列 可靠性 

单位：苏州生物医学工程技术研究所 江苏苏州215163 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春130033