摘要：随着输出功率、转换效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低，大功率半导体激光器越来越广泛地应用于许多新的领域。大部分商业化销售的半导体激光器阵列／巴条是用铟作为焊料封装的。然而，在半导体激光器封装过程中不可避免地会在贴片层形成一些小空洞，这些小空洞在铟的电迁移和电热迁移作用下逐渐变大，这将导致芯片贴片层形成大量的空洞，造成芯片局部温度迅速上升。针对808nm连续波40W传导制冷单巴条半导体激光器阵列，系统地分析了半导体激光器贴片层空洞对发光点温度的影响以及贴片层内不同位置不同尺寸的空洞对发光点温升的影响，得到了发光点温升与空洞尺寸间的关系曲线。提出了利用空洞与发光点温度的关系及空间光谱来估算贴片层的空洞分布的方法，并将估算结果与实验测得的贴片层扫描声学显微图像进行了对比。

关键词：激光器 半导体激光器 热行为 空间光谱 铟焊料 

单位：西安交通大学应用物理系 陕西西安710049 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室 陕西西安710119 西安炬光光电科技有限公司 陕西西安710119