摘要：利用离子束辅助沉积（IAD）技术制备了单层HfO2薄膜，离子源分别为End—Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏振仪（VVASE）、X射线衍射仪（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）、ZYGO干涉仪和激光量热计测试了薄膜的透射光谱、光学常数、晶体结构、表面形貌和吸收（1064nm）。实验结果表明，薄膜特性与辅助离子源及起始膜料有着密切的关系。End—Hall离子源辅助沉积制备的薄膜出现轻微的折射率不均匀性。两种离子源辅助沉积制备的薄膜折射率均较高，吸收损耗小，薄膜均为单斜晶相。不同离子源辅助沉积条件下，利用金属Hf为起始膜料制备的薄膜表面平整度较好，其均方根粗糙度和总积分散射均相对较小。与End—Hall离子源相比，APS离子源辅助沉积制备的薄膜吸收相对较小。

关键词：薄膜 hfo2薄膜 离子束辅助沉积 离子源 薄膜特性 

单位：中国科学院光电技术研究所 四川成都610209 中国科学院研究生院 北京100049