摘要：硅基（SOI）波导是近年集成光电子和集成波导的重要方向。对硅基纳米波导进行数值计算,讨论了空气包层和SiO2包层两种情况的双模传输特性,得到两种包层结构的双模工作区域和双模拍长与波导结构的关系。研究了SOI纳米波导中双模干涉现象以及双折射和温度对双模干涉的影响。

关键词：光电子学 硅基波导 模式截止 双模干涉 拍长 

单位：北京交通大学光信息科学与技术研究所 发光与光信息技术教育部重点实验室 北京100044