摘要：报道了一种单片集成的串联DFB激光器芯片,在合适工作条件下,可以在疏波分复用（CWDM）的两个信道波长激射。芯片通过非统一多量子阱有源区拓宽材料增益谱,给DFB激光器的纯折射率光栅引入弱增益耦合,提高DFB激光器的动态单模特性。芯片采用普通DFB激光器的制备工艺制备,工艺简单成本低,重复性高。测试结果表明,芯片能够在1.51μm和1.53μm两个波长激射,出光功率均能达到6mW以上,边模抑制比均达到40dB。

关键词：激光器 波长可选 非统一量子阱 弱增益耦合 单片集成 

单位：北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京100124