摘要：实验优化设计了808nm分布反馈（DFB）半导体激光器的二级布拉格光栅结构，介绍了808nmDFB半导体激光器光栅制备的工艺过程。采用全息光刻方法和湿法腐蚀技术在GaAs衬底片上制备了周期为240nm的光栅图形，全息光刻系统采用条纹锁定技术降低条纹抖动和提高干涉稳定性，腐蚀液中H3PO4、H2O2和H2O的体积比为1：1：10，腐蚀时间为30s。光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）测试显示，光栅周期为240nm，占空比为0．25，深度为80nm，具有完美的表面形貌及良好的连续性和均匀性。

关键词：激光器 半导体激光器 分布反馈 光栅 全息光刻 

单位：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林长春130022