摘要：通过设计极低损耗808nm半导体激光芯片外延结构，实现腔内损耗小于0．5cm-1。采用该高效率外延结构研制出高峰值功率808nm巴条芯片，巴条的填充因子为85％，包含60个发光点，发光区宽度为140μm，腔长为2mm。在驱动电流为500A，脉冲宽度为200“s，重复频率为400Hz，占空比为8％的工作条件下，该芯片的准连续（QCW）峰值输出功率为613W，斜率效率达1．34w／A，峰值波长为807．46nm，光谱半峰全宽为2．88rim。任意选取5只芯片，在准连续300W（占空比8％）条件下进行了寿命验证，芯片寿命达到3．63×109shot，定功率300W下电流变化小于10％，达到商业化水平。

关键词：激光光学 半导体激光芯片 峰值功率 光损耗 寿命 

单位：中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室; 陕西西安710119; 西安立芯光电科技有限公司; 陕西西安710077