摘要：研究了基材热处理态和激光扫描速率对多道沉积DD5单晶高温合金沉积道内的杂晶（SGs）形核位置及数量的影响，探讨了不同条件下杂晶的形成机理。结果表明，当激光扫描速由5mm／s增大到20mm／s时，沉积道顶部的柱状晶一等轴晶转变（CET）导致杂晶数目减少；采用固溶方式处理基材时，沉积道底部杂晶的尺寸和数量较铸态基材的明显减小；沉积道之间的相互搭接不会产生新的杂晶；当采用固溶态基材、激光扫描速率为20mm／s时，基本可以得到无杂晶的多沉积道搭接界面。

关键词：激光技术 激光熔化沉积 单晶高温合金 杂晶形成 多道沉积 

单位：北京航空航天大学大型金属构件增材制造国家工程实验室; 北京100191; 北京航空航天大学材料科学与工程学院; 北京100191