摘要：通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明,室温下发光峰位约为1.55μm;由于InxGa1-xAs薄膜中存在压应变,光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽,验证了InxGa1-xAs薄膜中存在应变。

关键词：薄膜 应变 拉曼光谱 光致发光 分子束外延 

单位：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 吉林长春130022