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专利名称:热解氮化硼涂层基座

赵凤鸣; 江凤益 表面技术 2005年第04期

摘要:一种涉及半导体新型材料领域,用化学气相沉积技术生产的热解氮化硼涂层基座,是针对目前用MOCVD技术制取GaN外延片时,由于受NH3气腐蚀,使用寿命缩短,

关键词:氮化硼专利名称基座涂层热解

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