摘要：本发明提出一种采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片，该外延片采用阱／中间层／垒结构的新型多量子阱技术，用MOCVD法生长GaN基绿光LED外延片。阱、垒之间的中间层能有效降低InGaN的分解，可在较高生长温度实现高In含量且高质量的InGaN合成。

关键词：led外延片 多量子阱 氮化镓 绿光 制备 

单位：方大集团股份有限公司