摘要：本发明揭示一种改善晶圆表面平坦度的方法，适用在一晶圆上以化学气相沉积法（chemical vapor deposition，CVD）沉积复数层的薄膜，包括：一晶圆；将晶圆置入一第一薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第一层薄膜，其中第一薄膜沉积设备具有至少一第一反应气体注入口（injector），且晶圆相对第一反应气体注入口具有第一第一方向；将晶圆置入一第二薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第二层薄膜，其中第二薄膜沉积设备具有至少一第二反应气体注入口（iniector）．

关键词：平坦度 晶圆 化学气相沉积法 表面 沉积设备 

单位：台湾省矽统科技股份有限公司