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磁控反应溅射AlN薄膜光学性能研究

朱春燕 朱昌 表面技术 2008年第01期

摘要:为了制备光学性能良好的AlN薄膜。采用磁控反应溅射法制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用椭圆仪、分光光度计、傅立叶变换光谱仪对AlN薄膜进行了相关光学性能的分析。结果表明:在波长为400~1100rim时,AlN薄膜的折射率为2.0~2.4,透过率都在88%以上;在200~300nm远紫外光范围内,薄膜具有强烈的吸收;在红外吸收光谱中,677cm。处存在1个强烈的吸收峰,说明薄膜中已经形成了AlN。

关键词:氮化铝薄膜折射率透过率红外光谱磁控反应溅射法

单位:西安工业大学光电工程学院 陕西西安710032

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