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硅烷偶联剂对β-偏磷酸钙晶须的表面改性研究

陈琳 表面技术 2008年第06期

摘要:为了改善β-偏磷酸钙晶须(β-CMPW)的疏水性能,采用八甲基环四硅氧烷(D4)和乙烯基三乙氧基硅烷(A-151),在超声分散条件下对β-CMP。进行了表面改性。采用润湿性试验测定晶须的疏水性能,通过扫描电镜(SEM)、热分析(TG—DSC)研究了超声时间和改性剂种类、含量对表面改性的影响。结果表明:晶须改性后的疏水性均优于未改性的晶须,获得了较佳的表面改性条件,即改性剂选用D4,超声时间20min,所加改性剂的质量分数为2%。

关键词:偏磷酸钙晶须d4表面改性

单位:四川理工学院材料与化学工程学院 四川自贡643000

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