摘要：专利名称：一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 专利申请号：CN200710035381．7 公开号：CN101086060 申请日：2007-07—17 公开日：2007-12-12 申请人：湘潭大学 一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法，以水溶性锌盐为前驱物，以水溶性过渡金属盐为掺杂剂，乙酸做稳定剂，将混有掺杂剂的前驱物溶于蒸馏水或去离子水中，然后将溶液雾化成气溶胶，利用载气榆运到单晶硅衬底表面热解反应生成稀磁半导体薄膜。

关键词：专利名称 半导体薄膜 专利申请号 过渡金属盐 湘潭大学 

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