摘要：利用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）在钛基底上制备了掺硼金刚石（BDD）薄膜。研究了硼源浓度对BDD薄膜生长的影响。分别采用扫描电子显微镜，拉曼光谱，x射线衍射技术对薄膜的表面形貌、残余应力、择优取向及TiC含量进行了分析。结果表明，硼源浓度升高对金刚石薄膜（111）织构生长有促进作用；随着掺硼浓度的增加，TiC含量和晶粒尺寸皆减小，同时薄膜的张应力增大，缓解薄膜自身在制备过程中形成的压应力，从而更大程度上提高薄膜附着力。

关键词：硼浓度 掺硼金刚石薄膜 钛 微波等离子体化学气相沉积 

单位：武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室 武汉430073 中船重工725所海洋腐蚀与防护重点实验室 青岛266101