摘要：采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜，采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征，通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌，并测试了薄膜的耐压性能，分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响。实验结果表明：真空蒸镀所得薄膜为非晶硅薄膜，退火处理可使其多晶化，晶粒尺寸达0．5μm；基板温度120℃、基板距离60mm为最佳工艺条件，采用该工艺所得多晶硅薄膜的耐压值可达384．2V。

关键词：真空蒸镀 退火 多晶硅薄膜 

单位：大连大学表面工程中心 大连116622