摘要:在单晶Si(100)基体上,采用闭合场非平衡磁控溅射方法沉积制备了导电非晶碳膜。X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈明显的非晶结构;用XPS分析了薄膜中的碳键结构,碳膜的Cls峰位于284~285eV之间,Cls峰分峰拟合得出sp2C的原子数分数为59%左右,碳键以sp2结构为主;四探针法测得薄膜的电阻率为1.32×10^-6Ω·m。可以认为:制备的碳膜是以sp2结构为主的类石墨非晶态薄膜。
关键词:非晶碳膜 磁控溅射 微观结构 电阻率
单位:中国矿业大学材料科学与工程学院 徐州221008 宁波工程学院材料工程研究所 宁波315016
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