摘要：探讨了单源混蒸技术制备SiO2／TiO2变折射率薄膜的可行性，分别蒸发SiO2和TiO2质量比为1：1和1：2的混料，研究分析了薄膜折射率的变化情况，并将其与双源共蒸的方法进行了比较。实验中发现，两种材料蒸发方式的差异是影响SiO2／TiO2变折射率薄膜制备的主要因素，尚未发现混料中SiO2和TiO2的质量比与SiO2/TiO2薄膜折射率的对应关联。

关键词：单源混蒸 电子束蒸发 变折射率 

单位：西安工业大学 西安710032 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室 西安710032