摘要：为得到具有器件应用价值的非晶硅薄膜,首先采用等离子体增强化学气相沉积系统获得非晶硅薄膜,之后用离子注入设备对该薄膜进行镍离子注入掺杂。用椭偏仪测试薄膜厚度,得知非晶硅薄膜厚度为200nm,且沉积工艺稳定。X射线衍射仪测试表明,所沉积的薄膜属于完全非晶态。用四探针薄膜电阻测试设备测试非晶硅薄膜的方块电阻,结果表明,当掺杂浓度为2.5×1019个/cm^3,离子注入能量为35.2 keV时,掺杂后的非晶硅薄膜具有较好电学性质,TCR约为-0.7%,室温下的方块电阻为992 kΩ/□。

关键词：非晶硅薄膜 离子注入 电学性质 

单位：西安工业大学微光电系统研究所 西安710032