摘要：首次应用修正嵌入原子法（MEAM）以及动力学蒙特卡洛方法（KMC）对Ti-Si-N薄膜的生长过程进行了计算机仿真模拟。在合理选择势函数及MEAM各项参数的基础上,利用编程软件仿真在不同基底温度下的薄膜生长过程。与采用传统简单的Mouse势进行模拟的结果相比,这种新方法的模拟结果更加准确,与实验结果更加吻合。仿真结果表明：基底温度对Ti-Si-N薄膜的形成过程有着直接的影响,当基底温度为800 K时,岛所形成的形貌最为理想,缺陷率最低。

关键词：薄膜生长 计算机模拟 meam势 

单位：内蒙古科技大学 包头014010 上海交通大学 上海200240