摘要：目的研究ZnO：Si薄膜厚度对其生长速率、结晶度、光透率和电阻率的影响。方法用直流磁控溅射系统在玻璃基片上沉积不同的时间，获得5个厚度不同的ZnO：Si薄膜样品，对比研究了其薄膜生长取向和结构特性、微观形貌、电学参数及透过率曲线。结果5个ZnO：Si薄膜样品都为多晶膜，具有单一的（002）衍射峰，沿垂直于基片的C轴方向择优生长。当薄膜厚度从207．6nm增加到436．1nm时，薄膜的晶粒尺寸增大，晶化程度提高，电阻率变小；膜厚增至497．8nm时，薄膜的晶化程度反而降低，电阻率增加。在可见光范围内，5个薄膜样品的平均透过率都高于91．7％。结论膜厚对ZnO：Si薄膜的电学性能有较大影响．对光学性能的影响则较小。

关键词：透明导电薄膜 zno si 光电特性 薄膜厚度 

单位：山东理工大学电炉熔炼研究所 山东淄博255049