摘要：目的根据当前活塞环陶瓷膜工艺中存在的问题，对渗陶电源进行改进，使处理的活塞环达到工业应用要求的同时提高处理效率。方法分析用PECVD方法制备陶瓷膜工艺中影响成膜的主要因素，以这些因素为依据，通过改变渗陶电源放电的各种参数，比较在不同参数下处理的效果。结果在最佳组合的放电参数下，这种改进后电源在活塞环表面的成膜效果与传统电源相当，同时，处理的效率得到了提高。结论非对称脉冲式电源可以代替传统高功耗的射频电源使活塞环表面陶瓷化。

关键词：等离子体 pecvd 陶瓷膜 a2k电源 

单位：中南民族大学等离子体研究所 武汉430074