摘要：目的结合金属辅助化学湿法刻蚀原理，在单晶硅表面制备高效减反的微纳米结构。方法以单晶硅为基体。提出用Cu^2＋作为催化剂，在单晶硅表面两步化学刻蚀出多种微纳米减反结构，运用SEM／AFM表面分析方法，对形成的表面形貌和制备工艺进行分析，详细介绍了铜离子催化作用下制备微纳米结构的机理、反应现象及主要影响因素。结果铜离子催化化学刻蚀单晶硅可以得到均匀分布的微纳米减反结构，所得结构在250～800nm范围内的反射率达5％以下。结论与传统碱性刻蚀技术相比．该技术所得微结构具有更高的光吸收率，并且稳定性好，容易控制。

关键词：硅基体 微纳结构 铜离子 太阳能电池 

单位：浙江工业大学材料化学实验室 杭州310014