摘要：目的研究纳米金刚石薄膜生长掺硼的内在机理，实现对该过程的精确控制。方法采用微波等离子体化学气相沉积法，以氢气稀释的乙硼烷为硼源，进行纳米金刚石薄膜的生长过程掺硼实验．研究硼源浓度对掺硼纳米金刚石薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和表面硼原子浓度的影响。结果随着硼源浓度的增加，纳米金刚石薄膜的表面粗糙度和晶粒尺寸增大，表面电阻则先下降，而后趋于平衡。结论纳米金刚石薄膜掺硼后，表面电导性能可获得改善．表面粗糙度和晶粒尺寸则会增大。在700℃条件下掺硼15min，最佳的硼源浓度（以硼烷占总气体流量的百分比计）为0．02％。

关键词：纳米金刚石薄膜 掺硼 硼源浓度 化学气相沉积 

单位：武汉工程大学材料科学与工程学院 武汉430074 湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 武汉430074