摘要：原子层沉积（ALD）是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理,介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展,涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域,对ALD技术当前存在的问题进行了分析,并展望了未来发展方向。

关键词：原子层沉积 薄膜技术 高深宽比结构 纳米多孔结构 微纳结构器件 

单位：中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 太原030051 中北大学电子测试技术重点实验室 太原030051