摘要：目的对LED封装用铝基板表面进行微弧氧化处理,用以调控其界面的导电导热行为,并构建微弧氧化膜的厚度与其导电性及导热性之间的关联性。方法采用XRD表征了不同厚度微弧氧化膜的相结构,借助SEM观察了不同厚度膜层的表面微观形貌,利用高阻计测试了不同外加电压下膜层的电阻率,采用闪光法测定了不同温度下膜层的热扩散系数。结果微弧氧化膜主要由γ-Al_2O_3相组成,随膜层厚度的增加,膜层的相结构无显著变化,但其表面多孔结构出现了明显变化。膜层电阻率随膜厚的增大而升高,在膜厚从10μm增至40μm的过程中,电阻率增大了4~8倍。膜层电阻率随测试电压的升高而降低,当测试电压从50 V升至100 V时,电阻率降幅达1~2个数量级。膜层的热扩散系数随膜厚的增大出现波动,当膜厚为10~40μm时,热扩散系数的变化量为21.6~24.8 m^2/s。膜层热扩散系数随测试温度的升高而降低,降幅最高可达8.9 m^2/s。结论厚度为40μm的微弧氧化膜既具有高的电阻率（7.1×10^12Ω·cm）,又具有高的热扩散系数（98.0 m^2/s）,有望满足LED铝基板的界面绝缘与散热要求。

关键词：铝基板 氧化铝 微弧氧化 膜厚 电阻率 

单位：西安科技大学材料科学与工程学院; 西安710054