摘要：目的 通过向CdO薄膜中掺杂ZnO,在尽量不影响其电学性质的前提下,拓宽禁带宽度并改善性能。方法 通过磁控射频溅射分别在玻璃基底和硅〈111〉基底上沉积了一系列Cd_（1-x）Zn_xO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪,测试了薄膜的结构、光学和电学性能。结果 随着Zn掺杂含量的增加,薄膜结构会发生变化：x〈0.25时,薄膜结果为岩盐相;0.250.5时,薄膜结构变成了纤锌矿相。掺杂Zn后,薄膜吸收边可以提升到3eV左右,同时其电阻率为6.69×10~（-4）？·cm,载流子浓度为7.92×10~（20） cm~（-3）,与纯CdO薄膜电学性质相近。结论 对CdO薄膜进行一定量的ZnO掺杂,可以在不影响其电学性质的前提下提高禁带宽度,从而使薄膜具有良好的光电性能。

关键词：cdo zno 薄膜 磁控射频溅射 霍尔效应 

单位：中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心; 合肥230026