摘要：目的开发一种石墨烯在铜基复合材料中的均匀分散结构，制备出兼具高导电和强抗刻蚀性能的石墨烯/铜复合材料。方法采用化学气相沉积原位生长法结合分散剂工艺，制备分散均匀石墨烯/铜基粉体复合材料。利用制备的石墨烯/铜粉体材料，采用真空热压工艺，制备了石墨烯/铜块体材料，然后用拉曼光谱、X射线粉末衍射仪和金相显微镜，考察石墨烯/铜试样的质量和形貌，最后用数字便携式涡流电导仪测量其电导率。利用自主设计的石墨烯/铜在过硫酸铵中刻蚀的实验装置，测试石墨烯/铜的抗刻蚀性能。结果利用石墨烯/铜粉体制备的石墨烯/铜块体和铜具有相同的(111)、(200)和(220)晶面，多层石墨烯以立体胞室结构均匀分布在铜晶粒的晶界处。石墨烯/铜块体的导电率为96%IACS，明显优于文献报道的以其他方法制备的石墨烯/铜块体，并且在过硫酸铵溶液中浸泡90min后，石墨烯/铜块的质量损失为126.6mg,石墨烯/铜比纯铜的抗刻蚀能力提高了37.6%，具有比铜更强的抗刻蚀性能。结论以CVD原位生长法和真空热压法制备的石墨烯/铜复合材料，石墨烯以立体胞室结构均匀分散在铜界面处，并且兼具高的导电性和强的抗刻蚀性能。

关键词：化学气相沉积 立体胞室结构 导电性 抗刻蚀性能 原位生长 

单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室; 浙江宁波315201; 浙江省海洋与防护重点实验室; 浙江宁波315201; 全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室; 北京102209; 国网山西省电力公司; 太原030001