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一种GaAs FET/pHEMT器件噪声参数测量的新方法

刘章文; 蒋毅; 古天祥 电子学报 2006年第02期

摘要:本文提出一种FET/pHEMT器件噪声参数提取的新方法,该方法利用50Ω输入阻抗噪声系数F50的测量,通过本征H参数和本征级联噪声矩阵CA^INT,确定出关于门噪声温度Tg和漏噪声温度Td的线性方程,后对所有频点的线性方程Tg-Td作统计分析,即可确定Tg和Td再由噪声网络合成原理求得总的级联噪声相关矩阵CA,相应的噪声参数(Fmin,Rn和Гopt)也求出来了.三个FET/pHEMT器件的测量结果显示出,实测参数与Garcia和Lázaro的方法吻合得很好。

关键词:噪声测量fet本征h参数级联噪声矩阵

单位:电子科技大学自动化工程学院; 四川成都610054; 中国工程物理研究院应用电子学研究所; 四川绵阳621900

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