摘要：采用电子背散射衍射（EBSD）技术，测量GaN／蓝宝石结构中的弹性应变场．将EBSD菊池衍射花样的图像质量叼值及小角度错配作为应力敏感参数，表征GaN-Buffer层．蓝宝石结构中的晶格畸变和转动，显示微区弹性应变场．在CaN／蓝宝石系统中，弹性应变的影响范围大约200×700nm．采用快速傅立叶变换（FFT）提取菊池花样的衍射强度，识别CaN外延结构中的应变／无应变区域．

关键词：微区应力 gan外延层 

单位：北京工业大学固体微结构与性能研究所; 北京100124; 北京工业大学光电子技术研究所; 北京100124