摘要：为实现性能更优的超宽带（UWB）射频前端低噪声放大器（LNA），本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法．基于源端电感负反馈的LNA电路模型，本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元件参数的方法，实现了较好的输入阻抗匹配，达到了较高的增益、较好的增益平坦度以及优秀的噪声系数，并具有较低的功耗；本设计方法所用无源元件不但适宜CMOS集成，而且对工艺偏差具有一定的忍耐力．仿真结果说明用上述方法设计的超宽带LNA在工作频带内能够达到预期的各项性能要求．

关键词：射频前端低噪声放大器 超宽带 优化设计方法 cmos 

单位：清华大学微电子学研究所; 清华大学信息科学与技术国家实验室微电子学部; 北京100084; 清华大学深圳研究生院; 广东深圳518055