摘要：栅氧经时击穿（Time Dependent Dielectric Breakdown（TDDB））等失效机理引起的失效是电路失效的主要原因之一,而这些电路的失效可能会造成灾难性的后果.本文提出了一种片上、能对栅氧经时击穿引起的失效进行实时预报的电路及方法.当栅氧经时击穿引发电路或系统失效时,本监测电路会发出报警信号.本监测电路采用标准的CMOS工艺,只占用很小的芯片面积,同时它只与宿主电路共用电源信号,从而不会给宿主电路带来任何干扰.本监测电路采用0.18μmCMOS工艺实现了投片验证.

关键词：栅氧经时击穿 实时 可靠性 预报 寿命 

单位：西安电子科技大学微电子学院; 陕西西安710071