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一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析

余振兴 冯军 电子学报 2015年第02期

摘要:本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2d B至4d B,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50d B.整个电路的直流功耗小于32m W.

关键词:分布式混频器宽中频功率合成

单位:东南大学射频与光电集成电路研究所 江苏南京210096

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