摘要：富士通微电子（上海）有限公司宣布可提供富士通微电子2兆位（Mbit）的FRAM存储芯片。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存储器具有高速数据写入、低功耗并可提供大量写周期等特征。MB85R2001的配置是256K字×8位；MB85R2002的配置是128K字×16位。这两种类型的读访问周期均为100ns，读／写周期为150ns。操作电压为3—3．6V。

关键词：富士通 铁电存储器 批量生产 非易失性存储 存储芯片 

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