首页 > 期刊 > 电子测试 > 半导体器件微缩化 铜导线与Low-K为关键所在 【正文】
摘要:随着器件的关键尺寸(Critical Dimension)愈来愈小及导线层数的急剧增加,电阻/电容时间延迟(RC Time Delay)将严重影响整体电路的运行速度.为了改善随着金属联机线宽缩小所造成的时间延迟以及电子迁移可靠性问题,选择比铝合金更低的电阻率与更高的抗电子迁移破坏能力的铜导线材料,替换原来的铝合金金属是必要的.
关键词:半导体器件 铜导线 电镀铜技术
单位:工业技术研究院经资中心
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