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导体工艺不断更新闪存失效模式简要分析

姚慧秋; 黄其煜 电子测试 2006年第07期

摘要:随着闪存(Flash)应用日益广泛,对其失效模式的分析也成为一个重要挑战。本文主要介绍了Flash的基本操作,包括编程、擦除、读操作,并对Flash工作原理作了说明。此外,本文研究了Flash的几种典型常见的失效模式,如擦除中出现的失效、列漏电失效和干扰失效,通过失效原理、失效测试、失效影响等方面对这几种失效模式作了简要分析,其分析方法对Flash的测试有一定的实用价值。

关键词:失效模式闪存flash更新工艺

单位:上海交通大学微电子学院

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