摘要：制造工艺的不断进步,嵌入式存储器在片上系统芯片中的集成度越来越大,同时存储器本身也变得愈加复杂,使得存储器出现了一系列新的故障类型,比如三单元耦合故障。存储器內建自测试技术是当今存储器测试的主流方法,研究高效率的Mbist算法,是提高芯片成品率的必要前提。以SRAM的7种三单元耦合故障为研究对象,通过分析故障行为得到三单元耦合的72种故障原语,并且分析了地址字内耦合故障的行为,进而提出新的测试算法March 3CL。以2048X32的SRAM为待测存储器,利用EDA工具进行了算法的仿真,仿真结果表明,该算法具有故障覆盖率高、时间复杂度低等优点。

关键词：sram 存储器內建自测试 三单元耦合故障 march算法 可测性设计 

单位：华东师范大学信息科学技术学院