摘要：真空系统的真空度是衡量真空系统性能的一个重要指标.在电子源真空系统中,电子束轰击电极结构造成出气,会导致 真空腔内的真空度降低,影响电子源的发射性能.本论文利用COMSOL软件进行分子流仿真,合理设计电子源真空系统中的控 制极电极结构,使电极在电子束遭受轰击时电子源附近的压强值保持较小.论文分别对四种结构的控制极电极,分别是V 字 形,一字形,锥形电极,一字形上提,进行三维分子流建模,计算不同控制极结构出气与真空泵抽气达到平衡状态后电子源处的 压强.归一化数据仿真结果表明：一字形电子源处归一化压强大于锥形电子源处归一化压强数值,其次是上提一字形电子源 处归一化压强值,而 V 字形电子源处归一化压强值最小.由此可得到的结论是,相比于改变控制极结构（一字形变成锥形或者 V 字形）,拉远引出极与控制极的距离对轰击出气的改进效果效果更明显.本研宄的初步结果可对电子源等真空系统的结构设 计提供参考.

关键词：真空度 comsol分子流仿真 真空系统 出气 电极 

单位：中国电子科技集团公司第三十八研究所; 安徽合肥230088