《电子工业专用设备》杂志论文投稿要求:
Ⅰ、编号应顶格书写。有标题时,在编号后空一字再写标题,另起一行写具体内容。无标题时,编号后空一字写具体内容。
Ⅱ、第一作者必须注明出生年月、性别、籍贯、职称、学历、从事的研究方向或领域;通讯作者必须注明其职称、学历以及从事的研究方向或领域。
Ⅲ、文稿要求论述充分有力,研究方法严谨创新。
Ⅳ、参考文献按出现的次序列在文末,并在文中对应位置以右上角方括弧中的数字表示。详细参考文献格式,见往期杂志。
Ⅴ、摘要是以提供文献内容梗概为目的,不加评论和补充解释,简明、确切地记述文献重要内容的短文。
杂志发文主题分析如下:
| 机构名称 | 发文量 | 主要研究主题 |
| 中国电子科技集团公司... | 646 | 半导体;光刻;晶圆;电机;抛光 |
| 中国电子科技集团公司... | 229 | 真空;电池;低温共烧陶瓷;太阳能... |
| 中国电子科技集团公司... | 168 | 电池;太阳能电池;太阳能;均匀性... |
| 中国电子科技集团公司... | 118 | 单晶;硅单晶;硅片;晶片;区熔 |
| 电子工业部 | 115 | 半导体;光刻;曝光机;切片;切片... |
| 北京中电科电子装备有... | 92 | 晶圆;划片;划片机;键合;封装 |
| 中华人民共和国工业和... | 75 | 光刻;电路;电子专用设备;集成电... |
| 中国电子科技集团公司 | 68 | 电路;集成电路;化学机械抛光;机... |
| 中国电子科技集团第十... | 66 | 光刻;刻蚀;激光;光刻机;投影光... |
| 中国科学院 | 54 | 光刻;光刻机;电路;半导体;电子... |
杂志往期论文摘录展示
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基于Fluent的半导体湿法腐蚀过程中的废气排放流场研究
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区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素
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