摘要：纳米工艺下,老化效应与软差错共同引发的集成电路可靠性问题至关重要。该文分析偏置温度不稳定性（BTI）,包括负偏置温度不稳定性（NBTI）和正偏置温度不稳定性（PBTI）对软差错率的影响,提出从关键电荷值和延迟两个因素综合考虑。首先分析BTI效应下两个因素如何变化,推导了延迟受BTI影响的变化模型,介绍关键电荷的变化机理。然后探讨将两个因素结合到软差错率（SER）评估中,推导了融入关键电荷值的SER计算模型,提出将延迟的变化导入到电气屏蔽中的方法。基于ISCAS89基准电路上的实验验证了综合两种因素考虑BTI效应评估SER的有效性和准确性。

关键词：集成电路 偏置温度不稳定性 软差错率 关键电荷值 延迟 

单位：上海电力学院计算机科学与技术学院; 上海200090; 同济大学软件学院; 上海201804; 安徽工程大学计算机与信息学院; 芜湖241000