摘要：因目前MOV型SPD劣化检测参数压敏电压U1mA和漏电流Ileakage不能及时有效地判断MOV劣化程度,故研究一种能考量MOV劣化程度的方法尤其重要。根据影响MOV电容的主要因素以及晶界肖恩特基势垒变化、离子迁移理论等氧化锌压敏电阻的劣化机理,提出了氧化锌压敏电阻劣化过程中必然伴随电容量的变化。在不同的冲击实验下,对MOV型SPD进行劣化实验表明：MOV的电容量均随劣化程度增加而呈现上升趋势;在In标称值冲击下,MOV电容量随冲击次数近似线性上升。通过实验首次提出了电容量增幅具有考量MOV劣化程度的重要意义,同时证明：结合U1mA、Ileakage和电容量3个参数能够更好地分析MOV内部劣化原因。

关键词：氧化锌压敏电阻 晶界 劣化 电容 漏电流 

单位：气象灾害省部共建教育部重点实验室 南京210044 南京信息工程大学大气物理学院 南京210044 西安交通大学电气工程学院 西安710049 北京雷电防护装置测试中心 北京100176