摘要：为了提高聚酰亚胺材料（PI）在复杂工程环境下的可靠性，实验研究了真空电子辐射下PI的直流沿面闪络特性，并采用热刺激电流（TSC）法测试辐射前后试样的陷阱参数。结果表明，当辐射电子能量在0．5-20keV范围内时，试样表面的闪络电压高于无辐射情况下的闪络电压；电子能量越高，介质表面正电荷密度和相对介电常数越小，陷阱深度增大，表面电场均衡性有所提高，因此闪络电压越高；在辐射电子能量不变情况下，束流密度越大，初始电子数越多，泄漏电流越大，则闪络电压越低。

关键词：电子辐射 沿面闪络 电子能量 束流密度 降解 

单位：西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安710049 上海市空间飞行器机构重点实验室 上海201108