摘要：本文从GaAs PHEMT器件的失效机理出发,总结了PHEMT器件的几种可靠性评估方法：利用沟道区碰撞电离率对PHEMT器件的热电子退化的评估方法、高频C-V法对肖特基势垒接触退化的可靠性表征方法、用于欧姆接触退化表征的温度斜坡快速评价方法以及2DEG结构引起PHEMT器件失效的可靠性评估方法。

关键词：phemt 失效机理 可靠性 评估方法 

单位：华南理工大学物理科学与技术学院 电子元器件可靠性物理及其应用技术部级重点实验室 电子元器件可靠性物理及其应用技术部级重点实验室