摘要：针对瞬态电压抑制（TVS）二极管对高空核爆炸产生的电磁脉冲（HEMP）的防护问题,研究了不同类型脉冲传导注入至被测电路,分别测得了限幅电压、损伤阈值电压、损毁阈值电压和损毁阈值电流,计算出了不同类型脉冲作用下损伤概率和损毁概率。结果表明被测电路受到了注入脉冲次数累积效应的影响,脉冲次数越多,其阈值电压和阈值电流会越低。研究结果为微电子设备的电磁脉冲防护及HEMP防护中的器件选择提供了参考。

关键词：tvs二极管 hemp 累积效应 损伤概率 损毁概率 

单位：解放军理工大学电磁环境效应与电光工程部级重点实验室 南京210007