摘要：GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置,最后给出了抑制逆压电效应的方法,以期提高GaN HEMT的可靠性。

关键词：gan hemt 二维电子气 压电极化 逆压电效应 

单位：中国电子科技集团公司第十三研究所; 石家庄050051; 国家半导体器件质量监督检验中心; 石家庄050051