摘要：基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应。为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3DPDN模型,该模型由P/G TSV对模型和片上PDN模型组成。P/G TSV对模型是在已有模型基础上,引入bump和接触孔的RLGC集总模型而建立的,该模型可以更好地体现P/G TSV对的电学特性;片上PDN模型则是基于Pak J S提出的模型,通过共形映射法将硅衬底效应引入单元模块模型而建立的,该模型可以有效地反映硅衬底对PDN电学特性的影响。经实验表明,建立的3DPDN模型可以有效、快速地估算3D-IC PDN阻抗。

关键词：电源分配网络 tsv pdn阻抗 硅衬底效应 

单位：国防科学技术大学计算机学院 湖南长沙410073 长沙学院数学与计算科学系 湖南长沙410003