摘要：使用TCAD模拟工具，分析了纳米工艺下N’-N结、P＋-P结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态（SET）脉冲宽度的影响，并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度。结果表明，N’-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著。同时，还分析出N’N、P’-P结在不同电压下的差异性较为明显，PN结在不同温度下的差异性较为显著。

关键词：pn结 单粒子瞬态 pmos nmos 脉冲宽度 

单位：国防科技大学计算机学院; 湖南长沙410073