摘要：在比较曲率测量技术常用的stoney公式及其修正式的基础上，利用有限元分析方法，建立薄膜/基底结构的有限元模型，给出一种薄膜残余应力的等效施加方法，从两个方面详细分析并对比这两个公式在微机电系统（Micro electromechanical systems，MEMS）薄膜残余应力测量中的检测精度。仿真及分析结果表明，修正后的Stoney公式在很大程度上提高薄膜残余应力的测量精度,使曲率测量技术的适用范围得到较大扩展。但是当薄膜厚度接近于基底厚度或结构处于大变形状态下，修正式的计算精度也将受到较大影响，此时可以采用有限元分析方法来获得临界状态值，以提高残余应力的检测精度。同时，通过有限元分析，证实曲率测量技术应用中存在的另一个问题，即曲率的空间分布不均匀性现象。

关键词：曲率测量技术 微机电系统 薄膜残余应力 有限元分析 

单位：西北工业大学微/纳米系统实验室; 西安710072