摘要：从微观角度研究磁记忆现象是机理研究的突破口，材料微观结构变化由塑性变形引起。因此设计拉伸疲劳试验，同步研究疲劳过程中切向磁信号Hpx变化与材料微观形貌及塑性应变变化之间的关系。试验结果显示，疲劳初期，fk快速增强，对应快速塑性变形；疲劳中期，Hpx平缓增强，对应塑性变形放缓，晶界微裂纹萌生并缓慢发展；疲劳后期，Hpx相比疲劳中期有跳变，并且增强速度加快，对应塑性变形加剧，宏观裂纹出现并快速扩展。分析表明，塑性变形产生微裂纹等晶体缺陷，阻碍磁化，使塑性变形集中区域成为内部磁源，向外散射磁场，形成磁记忆现象。并得出磁记忆场Hp的表达式，Hp随测量点位置、塑性变形集中区的磁导率μ（或塑性应变8D）变化。某固定测量点沿某方向的磁记忆信号随μ线性变化、随εp的单调递增变化，因此疲劳各阶段Hpx增强速度不同是εp口增加速度不同引起。并提出可以通过选择合适的测量点及测量方向来提高磁记忆信号对靠变化的灵敏度。

关键词：磁记忆 疲劳 塑性应变 微观结构 扫描电镜 

单位：北京科技大学数理学院 北京100083 哈尔滨工业大学航天学院 哈尔滨150001